Price Pricelist ji bo Gavên Taybetmendiyê Chinaîn Hilbijartina Electron / Semiconductor Grade / Semiconductor Grade / Semiconductor Paqij Bike Tetafluoride / TetrafluoRomethane CF4 Buhayê Gaza CF4

"Sincî, nûbûn, hişkbûn, û karbidestiya domdar a ji bo wê mişterîyên ji bo mişterîyên ji bo mişterîyên ji bo peydakirina bîhnfirehî ya ku ji bo hilberîna gazê / a ji bo buhayê gazê, bandorker, lê em bi gelemperî ji bo ku hûn bi gelemperî herî mezin hewl didim.
"Since, nûbûn, hişkbûn, û karbidestiyê" dibe ku têgînek domdar a rêxistina me ji bo wê dirêj-dirêj be da ku ji bo mişterîyên hevbeş û ji bo werzîşê hevbeş saz bikeGaza Chinaîn CF4 û CF4, "Nirxan biafirînin, Xerîdar Xizmet!" Armanca ku em pê dimînin. Em bi dilpakî hêvî dikin ku hemî xerîdar bi me re demek dirêj û hevkariya bi me re damezrînin.

Parametreyên Teknîkî

Carbon tetrafluoride bi formula kîmyewî ya CF4-ê hîdrokarbonek şermezar e. Ew dikare wekî hîdrokarbonê hîdrokarasyonê were hesibandin, metal, perfluorocarbon, an jî wekî kompleksa neorganî. Carbon Tetafluoride gazek bêhempa û bîhnek e, di nav avê de, di nav benzîn û chloroform de soluble ye. Di bin germahiya normal û zexta normal de, ji oxidantsên bihêz, ji materyalên şewitandî an şewitandî dûr bixin. Gaza ne-şewitandî, zexta navxweyî ya konteynerê dê gava ku ji germbûna bilind tê derxistin, û xeterek têkçûn û teqînê heye. Ew kîmyewî aramî û ne-şewitandî ye. Tenê ammonia-sodium metal ammonia-sodium dikare li germahiya odeyê bixebite. Carbon Tetafluoride gazek e ku dibe sedema bandora sereyê. Ew pir aram e, dikare ji bo demek dirêj ve di atmosferê de bimîne, û gazek sereke ya hêzdar e. Carbon Tetafluoride di pêvajoyek plasma etching de ji cûrbecûr cûrbecûr yên yekbûyî tê bikar anîn. Her weha wekî gazek lazer tê bikar anîn, û di nav refên nizm, solvents, lubricants, materyalên izolî, û sermiyanan de tê bikar anîn. Ew di pîşesaziya mîkroelectronîkê de gazê plazma etchingê herî bikar anî ye. Ew tevliheviyek TetrafluoRomethane ya TetrafluoMethane û TetrafluoRomethane gaza paqij û oksîjenê bilind-paqij e. Ew dikare bi berfirehî li Silicon, Silicon diokside, Silicon Nitride, û Posphosilicate Posphosilicate bikar bînin. Etching of Materyalên fîlimê yên nermîn ên wekî tungsten û tungsten jî di paqijkirina alavên elektronîkî de, hilberîna hucreyê ya tîrêjê, teknolojiya lazer, sarincokê ya lazerê, lêpirsîna tîrêjê, di hilberîna qonaxa çapkirinê de, û paqijkirinê. Wekî teknolojiya entegrasyonê ya hevgirtî û plasma dryermê ya tîrêjê û plasma zuha tê bikar anîn. Pêşniyarên ji bo hilanînê: Li Warehouse Gombiya Nek-Nekêşbar a Nehîn, Firotgehek Bikin. Ji çavkaniyên agir û germ dûr bigirin. Divê germahiya hilanînê ji 30 ° C derbas nebe. Pêdivî ye ku ew ji hev veqetandî (şewitandî) bi hêsanî (şewitandî) were hilanîn, û ji hilanîna tevlihev dûr nekevin. Pêdivî ye ku devera hilanînê bi alavên dermankirina lezgîn a lezgîn ve were çêkirin.

Bikaranînî:

① sarinc:

TetrafluoRomethane carinan wekî germahiyek germahiya kêm tê bikar anîn.

② Etching:

Ew di microfabricasyona elektronîkî de tenê an di kombînasyona bi oksîjenê de wekî plasma etchant ji bo silicon, silicon dioksîdê, û silicon nitride.

Pakêta normal:

Berjewendî:

Paqijiya ithigh, saziya herî dawî;

Manufactureratoriya Sertîfîkayê ya ②iso;

Delivarfast Delivery;

Pergala analîzên ④on-line ji bo kontrola kalîteyê di her gav de;

Pêdivî ye ku pêdivî û pêvajoya berbiçav ji bo birêvebirina sindoqê berî dagirtinê;